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公司名：深圳市兴科泰科技有限公司
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所在地区：广东深圳

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商品详情

IRF530NPBF 品牌IR国际整流器

IRF530NPBF封装TO-220-3

IRF530NPBF是N沟道MOS管

IRF530NPBF详细规格

FET 类型	N 沟道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	44 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	71nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1960pF @ 25V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	130W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220AB
封装/外壳	TO-220-3

IRF530N

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