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| 型号: | HTT1129E |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred |
| IHS 制造商： | RENESAS ELECTRONICS CORP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
| 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.4 |
| Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.08 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.65 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 6 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 90 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 4000 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
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