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HUF75339G3产品参数
型号:HUF75339G3
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:HARRIS SEMICONDUCTOR
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.27
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):70 A
最大漏极电流 (ID):70 A
最大漏源导通电阻:0.012 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-247
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:124 W
最大功率耗散 (Abs):124 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):70 ns
最大开启时间(吨):110 ns
Base Number Matches:1
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