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HUF75339P3产品参数
型号:HUF75339P3
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
制造商包装代码:340AT
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:9 weeks
风险等级:0.53
Samacsys Confidence:2
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/1049697.2.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1049697
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=1049697
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=1049697
Samacsys PartID:1049697
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/HUF75339P3.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/HUF75339P3.jpg
Samacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category:Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name:TO?220?3LD CASE 340AT ISSUE A_1
Samacsys Released Date:2018-03-16 17:22:34
Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):75 A
最大漏极电流 (ID):75 A
最大漏源导通电阻:0.012 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):200 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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