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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市高捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥25.5元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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HUF75545P3产品参数
型号:HUF75545P3
Brand Name:Fairchild Semiconductor
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码:TO-220
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
制造商包装代码:TO-220, MOLDED, 3LEAD, JEDEC VARIATION AB
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:3.18
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):75 A
最大漏极电流 (ID):75 A
最大漏源导通电阻:0.01 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):270 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
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