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HUF75652G3产品参数和技术文档

HUF75652G3产品图

HUF75652G3产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
8.00000
$8.00
10
7.14200
$71.42
100
5.85600
$585.60
500
4.74196
$2,370.98
1,000
3.99924
$3,999.24

HUF75652G3产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 100V 75A TO-247

详细描述:通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 515W(Tc) TO-247

制造商:ON Semiconductor

系列:UltraFET™

包装:管件

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):100V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):75A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):8 毫欧 @ 75A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):475nC @ 20V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7585pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):515W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247

封装/外壳:TO-247-3

标准包装:450

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