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  • 深圳市欧瑞芯科技有限公司

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  • 深圳市华兴微电子有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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HUFA76407DK8T-F085产品参数
型号:HUFA76407DK8T-F085
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
制造商包装代码:751EB
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.21
Is Samacsys:N
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3.8 A
最大漏极电流 (ID):3.5 A
最大漏源导通电阻:0.09 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.5 W
认证状态:Not Qualified
参考标准:AEC-Q101
表面贴装:YES
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):116 ns
最大开启时间(吨):24 ns
Base Number Matches:1
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