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  • HV214PJ-G图
  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • HV214PJ-G
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  • 厂家Microchip Technology 
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  • 集好芯城

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  • HV214PJ-G
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  • 厂家Microchip Technology 
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  • HV214PJ-GM904图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • HV214PJ-GM904
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  • HV214PJ-G图
  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • HV214PJ-G
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  • 厂家MICROCHIP 
  • 封装PLCC-28 
  • 批号21+ 
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HV214PJ-G产品参数
型号:HV214PJ-G
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
零件包装代码:QLCC
包装说明:QCCJ, LDCC28,.5SQ
针数:28
Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.57
其他特性:ALSO REQUIRES VPP (40V TO VNN +250V) AND VNN (-40V TO -210V) SUPPLY
模拟集成电路 - 其他类型:SINGLE-ENDED MULTIPLEXER
JESD-30 代码:S-PQCC-J28
JESD-609代码:e3
长度:11.5062 mm
负电源电压最大值(Vsup):-210 V
负电源电压最小值(Vsup):-40 V
正常位置:NO
信道数量:8
功能数量:1
端子数量:28
标称断态隔离度:60 dB
最大通态电阻 (Ron):55 Ω
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
输出:SEPARATE OUTPUT
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC28,.5SQ
封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.572 mm
最大供电电流 (Isup):10 mA
最大供电电压 (Vsup):13.2 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
最长断开时间:5000 ns
最长接通时间:5000 ns
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:11.5062 mm
Base Number Matches:1
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