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HY27UG084G2M-TPCB产品参数
型号:HY27UG084G2M-TPCB
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SK HYNIX INC
零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数:48
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.81
Is Samacsys:N
最长访问时间:30 ns
命令用户界面:YES
数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e6
长度:18.4 mm
内存密度:4294967296 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
功能数量:1
部门数/规模:4K
端子数量:48
字数:536870912 words
字数代码:512000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:512MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP48,.8,20
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小:2K words
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3.3 V
编程电压:3.3 V
认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm
部门规模:128K
最大待机电流:0.0001 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.04 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20
切换位:NO
类型:NAND TYPE
宽度:12 mm
Base Number Matches:1
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