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HY27US08121B-TPCB产品参数
型号:HY27US08121B-TPCB
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP1
包装说明:12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48
针数:48
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.1.A
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.79
最长访问时间:18 ns
命令用户界面:YES
数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e6
长度:18.4 mm
内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
湿度敏感等级:3
功能数量:1
部门数/规模:4K
端子数量:48
字数:67108864 words
字数代码:64000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:64MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP48,.8,20
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小:512 words
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3/3.3 V
编程电压:3.3 V
认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm
部门规模:16K
最大待机电流:0.00005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.03 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20
切换位:NO
类型:NAND TYPE
宽度:12 mm
Base Number Matches:1
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