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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • HY512264TC-60图

    • HECC GROUP CO.，LIMITED

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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 深圳市意好科技有限公司

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    • 深圳市宗天技术开发有限公司

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    • 上海意淼电子科技有限公司

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    • 深圳市诚达吉电子有限公司

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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 深圳市科雨电子有限公司

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    • 深圳市创思克科技有限公司

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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    产品型号HY512264TC-60的概述

    HY512264TC-60的概述 HY512264TC-60是一款高性能的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，由韩国的Hynix Semiconductor（现为SK Hynix）生产。其主要用于计算机和嵌入式系统中，为系统提供快速且可靠的数据存储解决方案。HY512264TC-60采用双倍数据率（DDR）技术，支持数据的快速读写，并以其高带宽和低功耗而受到广泛欢迎。适用场景包括个人计算机、工作站、服务器以及各种嵌入式设备，如路由器和数字电视。 HY512264TC-60的详细参数 HY512264TC-60的主要技术参数如下： - 容量：256Mbit（32MB） - 总线宽度：16位 - 接口标准：DDR SDRAM - 工作频率：频率为60ns的工作周期 - 电源电压：典型工作电压为2.5V - 存取时间：列地址选通（CAS）延迟为2或3（可编程） - 封装类型：采用TSOP-I...

    产品型号HY512264TC-60的Datasheet PDF文件预览

    配单直通车
    HY512264TC-60产品参数
    型号:HY512264TC-60
    是否Rohs认证： 不符合
    生命周期：Obsolete
    零件包装代码：TSOP2
    包装说明：TSOP2, TSOP40/44,.46,32
    针数：44
    Reach Compliance Code：compliant
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8542.32.00.02
    风险等级：5.88
    Is Samacsys：N
    访问模式：FAST PAGE WITH EDO
    最长访问时间：60 ns
    其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
    I/O 类型：COMMON
    JESD-30 代码：R-PDSO-G40
    JESD-609代码：e0
    长度：18.41 mm
    内存密度：2097152 bit
    内存集成电路类型：EDO DRAM
    内存宽度：16
    功能数量：1
    端口数量：1
    端子数量：40
    字数：131072 words
    字数代码：128000
    工作模式：ASYNCHRONOUS
    最高工作温度：70 °C
    最低工作温度：
    组织：128KX16
    输出特性：3-STATE
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装代码：TSOP2
    封装等效代码：TSOP40/44,.46,32
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
    峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
    电源：5 V
    认证状态：Not Qualified
    刷新周期：512
    座面最大高度：1.2 mm
    自我刷新：NO
    最大待机电流：0.001 A
    子类别：DRAMs
    最大压摆率：0.1 mA
    最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
    最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
    标称供电电压 (Vsup)：5 V
    表面贴装：YES
    技术：CMOS
    温度等级：COMMERCIAL
    端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
    端子形式：GULL WING
    端子节距：0.8 mm
    端子位置：DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    宽度：10.16 mm
    Base Number Matches：1
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