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HY53C464F-10产品参数
型号:HY53C464F-10
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SK HYNIX INC
零件包装代码:LCC
包装说明:QCCJ, LDCC18,.33X.53
针数:18
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.91
Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:100 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQCC-J18
JESD-609代码:e0
长度:12.446 mm
内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:18
字数:65536 words
字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:64KX4
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC18,.33X.53
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:256
座面最大高度:3.55 mm
最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.05 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.366 mm
Base Number Matches:1
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