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型号: | HY57V161610ALTC-10 |
是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSOP50,.46,32 |
针数: | 50 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.89 |
访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 8 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 100 MHz |
I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G50 |
JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20.95 mm |
内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 |
端子数量: | 50 |
字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | |
组织: | 1MX16 |
输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP50,.46,32 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 4096 |
座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流: | 0.0004 A |
子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.1 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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