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HYNIX HY57V561620FTP-H Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54
时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
HYNIX HY57V561620FTP-H
中文翻译
Synchronous DRAM Memory 256Mbit
同步DRAM内存的256Mbit
存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
HYNIX HY57V561620FTP-HI Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-54
时钟动态存储器光电二极管内存集成电路

HY57V561620FTP-H详细参数

是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Obsolete
零件包装代码
TSOP2
包装说明
TSOP2, TSOP54,.46,32
针数
54
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.24
风险等级
5.7
Is Samacsys
N
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
5.4 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
133 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
1,2,4,8
JESD-30 代码
R-PDSO-G54
JESD-609代码
e6
长度
22.22 mm
内存密度
268435456 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度
16
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
54
字数
16777216 words
字数代码
16000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
16MX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2
封装等效代码
TSOP54,.46,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
连续突发长度
1,2,4,8,FP
最大待机电流
0.001 A
子类别
DRAMs
最大压摆率
0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.8 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
20
宽度
10.16 mm
Base Number Matches
1
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