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HY5DU56422BT-J产品参数
型号:HY5DU56422BT-J
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SK HYNIX INC
零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2, TSSOP66,.46
针数:66
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.84
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.7 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):166 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G66
JESD-609代码:e6
长度:22.225 mm
内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:4
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:66
字数:67108864 words
字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:64MX4
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSSOP66,.46
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
座面最大高度:1.194 mm
自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8
子类别:DRAMs
最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL
宽度:10.15 mm
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