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HY5RS123235F-12产品参数
型号:HY5RS123235F-12
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SK HYNIX INC
包装说明:FBGA, BGA136,12X17,32
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.92
最长访问时间:0.25 ns
最大时钟频率 (fCLK):800 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B136
内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:32
端子数量:136
字数:16777216 words
字数代码:16000000
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:
组织:16MX32
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA136,12X17,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH
电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
连续突发长度:4,8
子类别:DRAMs
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1
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