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  • HY5V56DLF-H图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

     该会员已使用本站15年以上
  • HY5V56DLF-H
  • 数量47989 
  • 厂家HYNIX 
  • 封装NA 
  • 批号2023+ 
  • 绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
  • QQ:364510898QQ:515102657
  • 0755-83777708“进口原装正品专供” QQ:364510898QQ:515102657
配单直通车
HY5V56DLF-P产品参数
型号:HY5V56DLF-P
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SK HYNIX INC
零件包装代码:BGA
包装说明:FBGA, BGA54,9X9,32
针数:54
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.84
Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B54
JESD-609代码:e1
长度:13.5 mm
内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:54
字数:16777216 words
字数代码:16000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:16MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA
封装等效代码:BGA54,9X9,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.2 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:8 mm
Base Number Matches:1
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