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HYB25D128160CE-6产品参数
型号:HYB25D128160CE-6
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:QIMONDA AG
零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2, TSSOP66,.46
针数:66
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.71
Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.7 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):166 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G66
长度:22.22 mm
内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16
湿度敏感等级:1
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:66
字数:8388608 words
字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:8MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSSOP66,.46
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.0045 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.215 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1
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