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产品型号HYB39D32322TQ-6的概述

一、芯片概述 HYB39D32322TQ-6是一款高性能的动态随机存取内存(DRAM)芯片,属于SDRAM系列。该芯片广泛应用于各类电子产品中,包括计算机、手机、平板电脑和嵌入式设备。通过采用先进的制造工艺以及精密的电路设计,HYB39D32322TQ-6具备了较高的存储密度和较快的数据访问速度,...
配单直通车
HYB39L128160AC-7.5产品参数
型号:HYB39L128160AC-7.5
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
零件包装代码:BGA
包装说明:TFBGA, BGA54,9X9,32
针数:54
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.85
Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B54
JESD-609代码:e0
长度:9 mm
内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:54
字数:8388608 words
字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:8MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA54,9X9,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096
座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES
连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.0004 A
子类别:DRAMs
最大压摆率:0.16 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8 mm
Base Number Matches:1
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