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HYB39S256162T-8产品参数
型号:HYB39S256162T-8
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92
最长访问时间:5 ns
最大时钟频率 (fCLK):125 MHz
I/O 类型:COMMON
交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54
JESD-609代码:e0
内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16
端子数量:54
字数:16777216 words
字数代码:16000000
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:16MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP54,.46,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192
连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL
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