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HYC0SQG0MF1-5L60E产品参数
型号:HYC0SQG0MF1-5L60E
生命周期:Active
IHS 制造商:SK HYNIX INC
包装说明:FBGA-149
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.65
Is Samacsys:N
其他特性:IT ALSO CONTAINS 512MBIT(32MBIT X 16) MOBILE SDRAM OPERATES AT 1.8V NOM SUPPLY
JESD-30 代码:R-PBGA-B149
长度:14 mm
内存密度:1073741824 bit
内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT
内存宽度:16
功能数量:1
端子数量:149
字数:67108864 words
字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-30 °C
组织:64MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TFBGA
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
宽度:10 mm
Base Number Matches:1
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