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| 型号: | HZK2BTR-E |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | RENESAS TECHNOLOGY CORP |
| 包装说明： | O-LELF-R2 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.69 |
| Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| JESD-609代码： | e6 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | WRAP AROUND |
| 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 工作测试电流： | 5 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
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