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| 型号: | HZM18NB2TR |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | RENESAS TECHNOLOGY CORP |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| Factory Lead Time： | 1 week |
| 风险等级： | 5.73 |
| 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 17.96 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 2.2% |
| 工作测试电流： | 5 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
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