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  • HZM6.2AFATR/6.2V图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • HZM6.2AFATR/6.2V图
  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 数量13850 
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 数量8650000 
  • 厂家RENESAS瑞萨/HITACHI日立 
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  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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  • 数量99000 
  • 厂家HITACHI 
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HZM6.2NB产品参数
型号:HZM6.2NB
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:RENESAS ELECTRONICS CORP
包装说明:MPAK-3
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.53
Is Samacsys:N
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:50 Ω
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.2 W
认证状态:Not Qualified
标称参考电压:6.2 V
子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES
技术:ZENER
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
最大电压容差:5.41%
工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1
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