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| 型号: | IDT6116LA35TDB |
| 是否无铅： | 含铅 |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.3 |
| 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.08 |
| 最长访问时间： | 35 ns |
| I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 32.004 mm |
| 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 |
| 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 2KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B |
| 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.0002 A |
| 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.105 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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