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IRF7404TRPBF Datasheet技术文件下载

IRF7404TRPBF产品参数和技术文档

IRF7404TRPBF产品图

IRF7404TRPBF产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
4,000
0.39603
$1,584.13

IRF7404TRPBF产品参数

品牌：
Infineon Technologies
描述：
MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
详细描述：
表面贴装 P 沟道 20V 6.7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
带卷（TR）
零件状态
在售
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
6.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
40 毫欧 @ 3.2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
50nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1500pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准包装
4,000
其它名称
IRF7404PBFTR SP001563596
型号： 厂家： 批号： 封装： 型号完全相同
  •  
  • 型号
  • 供货商
  • 厂家
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