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| 型号: | IRFBG30PBF |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC |
| 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | LEAD FREE PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 0.63 |
| Samacsys Confidence： | 3 |
| Samacsys Status： | Released |
| 2D Presentation： | https://componentsearchengine.com/2D/0T/11543891.1.1.png |
| Schematic Symbol： | https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=11543891 |
| PCB Footprint： | https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=11543891 |
| 3D View： | https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=11543891 |
| Samacsys PartID： | 11543891 |
| Samacsys Image： | https://componentsearchengine.com/Images/9/IRFBG30PBF.jpg |
| Samacsys Thumbnail Image： | https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/IRFBG30PBF.jpg |
| Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | Transistor |
| Samacsys Package Category： | Transistor Outline, Vertical |
| Samacsys Footprint Name： | IRFBG30PBF-- |
| Samacsys Released Date： | 2020-04-01 17:20:38 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 280 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
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