技术文章
变容二极管(Variable Capacitance Diode),又称为可变电容二极管、DS1302N调谐二极管或压控二极管,是一种特殊的半导体器件,具有可调节电容的特性。变容二极管广泛应用于无线通信、射频调谐、频率合成、振荡等领域。1. 组成:变容二极管由两个区别明显的半导体材料组成,通常是将高掺杂的N型硅材料与低掺杂的P型硅材料结合而成。在两者的结界面上存在一个可调节的空间电荷区域,当正向偏置或反向偏置时,该区域的电容值会发生变化。2. 特点:(1)可调节电容:通过改变二极管的偏置电压,可以精确地调节电容值。这使得变容二极管非常适合在无线通信中进行频率调谐。(2)快速响应:变容二极管的电容值变化非常迅速,响应速度较快。(3)温度稳定性:相比于其他可变电容器,变容二极管的电容值对温度变化的敏感程度较低。(4)射频性能好:变容二极管在高频率范围内表现出优秀的特性,因此被广泛应用于无线通信系统。(5)体积小巧:变容二极管的体积较小,可以方便地集成到微型电路中。3. 原理:变容二极管的电容值是通过调节结界面的空间电荷区域来实现的。当反向偏置施加到二极管上时,空间电荷区域扩大,导致电容值增大;而当正向偏置施加时,空间电荷区域缩小,导致电容值减小。这种电容的可变性是由PN结之间的电场控制的。4. 分类:变容二极管根据PN结之间的材料类型和结构特点,可以分为多种不同类型的二极管,如变容二极管、互补对(COP)二极管、MESFET二极管等。5. 操作规程:操作变容二极管时需要注意以下几点:(1)合理的偏置电压:根据具体的应用需求,选择适当的偏置电压,以确保所需的电容范围。(2)保护反向电
变容二极管(Varactor Diode)是一种电容器型二极管,其特殊之处在于它的电容随着反向偏压的改变而变化。它是一种广泛应用于无线电电子学领域的器件,可以用于频率调制、频率合成、频率变换、ATMEGA64-16AU振荡器、滤波器等电路中。本文将从变容二极管的结构、工作原理、性能特点、应用等方面进行详细介绍。一、基本结构变容二极管(Varactor Diode),也称为容性调制二极管,是一种具有可变电容的二极管。它的结构类似于正常的二极管,由P型半导体和N型半导体构成,但是它的P型区域和N型区域之间夹层有一个高掺杂的区域,也称为调制区或变容区。调制区的宽度决定了二极管的电容大小,因此称之为变容二极管。二、原理变容二极管和普通的二极管一样,一端连接P型半导体,另一端连接N型半导体。在正向偏置时,外加电场将P型区和N型区之间的载流子推向PN结,使其变窄,电容变小;在反向偏置时,P型区和N型区之间的载流子被电场拉开,使得PN结变宽,电容变大。因此,变容二极管的电容可以通过控制其偏置电压来进行调节。当变容二极管的偏置电压不同时,其电容值也不同,因此可以用来制作可变电容器。三、类型根据调制区的材料和结构不同,变容二极管可以分为多种类型,如下所示:1、碳化硅变容二极管:碳化硅是一种具有高功率和高频率特性的半导体材料,可以用于制作高性能的变容二极管。2、硅变容二极管:硅变容二极管是最常用的一种变容二极管,具有良好的性能和可靠性。3、砷化镓变容二极管:砷化镓是一种高性能的半导体材料,可以用于制作高频率的变容二极管。4、铟磷化镓变容二极管:铟磷化镓是一种在高频率下具有优异性能的半导体材料,可以
也被称为一个变容二极管或变容二极管变容二极管。这可调谐电路中使用的变容电控电容提供 。是什么使得它在许多应用程序的优势是体积小,价格低廉 。如果手动控制的可变电容相比,这种变容有缺点,如较低的Q值,非线性,低电压等级和更有限的范围内 。你可以找到的变容二极管的背景参考材料。 上面的示意图是用于测试变容二极管的基本电路 。1M电阻器,变容二极管的电路隔离的直流电压源是关键。0.1 uF的电容阻止直流偏置电压。我正好有一个10UH电感器在手,这些看起来像脂肪的电阻,并通过一个220pF 的电容相当高的问,射频信号发生器的耦合和未调制输出。我们不能准确地测量这是因为电路杂散电容的变容二极管的电容,但当然,我们可以看到它的行动。 应用变容的实际密切相关的另一种方法是用电容表,因为没有产生令人满意的结果:我们可以改变频率寻找最大,同时观察整个调谐电路与示波器的电压 。后得到的共振频率,然后计算电容记录画一个电容-电压曲线。你会发现,非线性曲线,但它意味着电压和频率之间的线性关系 。
在所有电台和电视台的应用,电压控制振荡器(VCO)是变容二极管调谐LC电路的类型,在这个电子工程电路,你可以看到一个非常简单的高效率Colpitts振荡器,在更高的频率范围内 ,在50兆赫以上, 的Colpitts振荡器使用,因为流浪电路中的电容,将所需的反馈电容的同时,并不会造成不良可能发生的抽头线圈哈特利设计的杂 ??散共振。显示调频VCO反馈从集电极到发射极与接地的底座设计 。 一个Colpitts振荡器是一个使用频率决心电容电感的组合电子振荡器电路的设计。Colpitts振荡器电路的显着特点是,反馈信号是由两个串联电容分压器。正如你可以看到在电路图,这种电子工程,需要一些电子零件,提供一个50MHz - 300MHz的VCO的调谐范围的2:1。
1、变容二极管的作用变容二极管是利用PN电路中作可变电容器使用。 是变容二极管的电路图形符号。结上的反向偏压,即可改变PN变容二极管有玻璃外壳封装(玻封)、塑料封装(塑封)、金属外壳封装(金封)和无引线表面封装等多种封装形式、如图4-182 系列和2CB为其主要参数。系列、MV系列、1T系列等,表4-24
变容二极管的伏安特性曲线和普通二极管一样,不同的是它工作在反向偏置区,为反偏压二极管,其结电容就是耗尽层的电容,因此可以把耗尽层看做两个导电板之间有介质的平行板电容器。结电容的大小与反向偏压的大小有关,反向偏压越大,结电容越小;反之,结电容越大。变容二极管的等效电路相当于一个可变电容器与电阻器和电感串联,如图一所示。 图一变容二极管电容的形成及等效电路 等效电路中的龟为可变结电容,它可以近似看成为变容二极管的总电容,它包括结电容、外壳电容及其他分布电容;Rs,为串联电阻,它包括PN结电阻、引线电阻及接线电阻;Ls为引线电感。Cj,Rs及Ls都是反向偏压的函数,其中Cj与反向偏压Vd的关系正是我们要使用的变容关系,通常可用下式表示: 式中:C0--零偏压时的PN结电容Vd--反向偏压 V0--接触电位,硅变容二极管为0.50~0.75V 图二为变容二极管PN结电容特性曲线,结电容与反向偏压的这种关系是非线性的。为了克服非线性,在应用时往往要采用校正网络、高偏压及多回路等措施。 图二变容二极管电容特性曲线 一般二极管的结电容部很小,由于变容二极管的结构特殊,它的可变结电容很大,可像电容器一样在电路中使用。
摘 要:介绍了一种使用vco实现调频的锁相环电路并给出了关键技术,变容二极管直接调频和锁相,环路滤波器的设计及实验结果。该电路不仅具有低相位噪声、高稳定载波、很小的非线性失真,而且具有理想的音频调制频响。关键词:调频;变容二极管;自动相位控制---调频广播具有抗干扰性能强、声音清晰等优点,获得了快速的发展。调频电台的频带通常大约是200~250khz,其频带宽度是调幅电台的数十倍,便于传送高保真立体声信号。由于调幅波受到频带宽度的限制,在接收机中存在着通带宽度与干扰的矛盾,因此音频信号的频率局限于30~8000hz的范围内。在调频时,可以将音频信号的频率范围扩大至30~15000hz,使音频信号的频谱分量更为丰富,声音质量大为提高。---许多中小功率的调频发射机都采用变容二极管直接调频技术,即在工作于发射载频的lc振荡回路上直接调频,采用晶体振荡器和锁相环路来稳定中心频率。较之中频调制和倍频方法,这种方法的电路简单、性能良好、副波少、维修方便,是一种较先进的频率调制方案。 变容二极管直接调频原理---二极管通过改变外加反向电压可以改变空间电荷区的宽度,从而改变势垒电容的大小。变容二极管是就是利用这种特性制成的特殊的pn结二极管,是一种电抗可变的非线性电路元件,一般使用的材料为硅或砷化镓。图1是变容二极管的特性曲线,图2是变容二极管直接调频示意图。---变容二极管在反向偏置时,结电容可用下式来表示:,其中,vd为pn结内建电位差,cj0为外加反向电压u=0时的结电容,n为电容变化指数。n取决于变容二极管pn结的杂质分布规律,对于缓变结n值等于1/3,突变结n值等于1/2,超突变
瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)日前宣布,推出两款用于具有数字地面广播能力的便携式和移动终端的可调式天线变容二极管(varicap diode):RKV653KP具有0.6mm×0.3mm的业界最小尺寸,而RKV653KL则采用了扩展的封装形式。样品供货将在2006年8月3日从日本开始。可调式天线是一种可以改变共振频率以有效接收各种频带的天线。这将有助于利用小型封装和可调式天线处理用于便携式和移动终端(One-Seg广播)的数字地面广播频率,从而推动天线与具有One-Seg广播能力的移动电话的集成。瑞萨科技开发的RKV653KP和RKV653KL可满足改变天线共振频率对嵌入式变容二极管严格的规格要求。这两种产品可以用于One-Seg广播和其他数字广播服务,例如数字视频广播手持设备类(DVB-H)和数字多媒体广播(DMB)的可调式天线。两种器件的特性如下。 (1)业界最小的尺寸(RKV653KP)RKV653KP的尺寸为0.6mm×0.3mm×0.3mm(典型值),是业界最小尺寸的可调式天线变容二极管。这有助于将天线轻松集成到移动电话内部。 (2)低电压条件下的高电容变化比(RKV653KP和RKV653KL)这些新产品可在大约3V的低电压条件下实现2.7(C1/C3情况下)的业界最高电容变化比,有助于实现低电压操作和可调式天线所需的宽频带能力。 (3)环境友好的无铅、无卤素规格(RKV653KP)RKV653KP采用电极位于封装的下侧的下侧电极结构。下侧电极引脚采用镀金工艺,封装体采用无卤素树脂,有效地减少了生产和处理等各个阶段对环境的不利影响。
瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前宣布,推出两款用于具有数字地面广播能力的便携式和移动终端的可调式天线变容二极管(varicapdiode):RKV653KP具有0.6mm×0.3mm的业界最小尺寸,而RKV653KL则采用了扩展的封装形式。样品供货将在2006年8月3日从日本开始。 可调式天线是一种可以改变共振频率以有效接收各种频带的天线。这将有助于利用小型封装和可调式天线处理用于便携式和移动终端(One-Seg广播)的数字地面广播频率,从而推动天线与具有One-Seg广播能力的移动电话的集成。瑞萨科技开发的RKV653KP和RKV653KL可满足改变天线共振频率对嵌入式变容二极管严格的规格要求。这两种产品可以用于One-Seg广播和其他数字广播服务,例如数字视频广播手持设备类(DVB-H)和数字多媒体广播(DMB)的可调式天线。两种器件的特性如下。 (1)业界最小的尺寸(RKV653KP) RKV653KP的尺寸为0.6mm×0.3mm×0.3mm(典型值),是业界最小尺寸的可调式天线变容二极管。这有助于将天线轻松集成到移动电话内部。 (2)低电压条件下的高电容变化比(RKV653KP和RKV653KL) 这些新产品可在大约3V的低电压条件下实现2.7(C1/C3情况下)的业界最高电容变化比,有助于实现低电压操作和可调式天线所需的宽频带能力。 (3)环境友好的无铅、无卤素规格(RKV653KP) RKV653KP采用电极位于封装的下侧的下侧电极结构。下侧电极引脚采用镀金工艺,封装体采用无卤素树脂,有效地减少了生产和处理等各个阶段对环境的不利影响
瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前宣布,推出两款用于具有数字地面广播能力的便携式和移动终端的可调式天线变容二极管(varicapdiode):RKV653KP具有0.6mm×0.3mm的业界最小尺寸,而RKV653KL则采用了扩展的封装形式。可调式天线是一种可以改变共振频率以有效接收各种频带的天线。这将有助于利用小型封装和可调式天线处理用于便携式和移动终端(One-Seg广播)的数字地面广播频率,从而推动天线与具有One-Seg广播能力的移动电话的集成。瑞萨科技开发的RKV653KP和RKV653KL可满足改变天线共振频率对嵌入式变容二极管严格的规格要求。这两种产品可以用于One-Seg广播和其他数字广播服务,例如数字视频广播手持设备类(DVB-H)和数字多媒体广播(DMB)的可调式天线。两种器件的特性如下。 (1)业界最小的尺寸(RKV653KP) RKV653KP的尺寸为0.6mm×0.3mm×0.3mm(典型值),是业界最小尺寸的可调式天线变容二极管。这有助于将天线轻松集成到移动电话内部。 (2)低电压条件下的高电容变化比(RKV653KP和RKV653KL) 这些新产品可在大约3V的低电压条件下实现2.7(C1/C3情况下)的业界最高电容变化比,有助于实现低电压操作和可调式天线所需的宽频带能力。 (3)环境友好的无铅、无卤素规格(RKV653KP) RKV653KP采用电极位于封装的下侧的下侧电极结构。下侧电极引脚采用镀金工艺,封装体采用无卤素树脂,有效地减少了生产和处理等各个阶段对环境的不利影响。 RKV653KL也是一种无铅产品。瑞萨将
瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)推出两款用于具有数字地面广播能力的便携式和移动终端的可调式天线变容二极管(varicap diode):RKV653KP具有0.6mm×0.3mm的业界最小尺寸,而RKV653KL则采用了扩展的封装形式。 可调式天线是一种可以改变共振频率以有效接收各种频带的天线。这将有助于利用小型封装和可调式天线处理用于便携式和移动终端(One-Seg广播)的数字地面广播频率,从而推动天线与具有One-Seg广播能力的移动电话的集成。瑞萨科技开发的RKV653KP和RKV653KL可满足改变天线共振频率对嵌入式变容二极管严格的规格要求。这两种产品可以用于One-Seg广播和其他数字广播服务,例如数字视频广播手持设备类(DVB-H)和数字多媒体广播(DMB)的可调式天线。两种器件的特性如下。 (1)业界最小的尺寸(RKV653KP) RKV653KP的尺寸为0.6mm×0.3mm×0.3mm(典型值),是业界最小尺寸的可调式天线变容二极管。这有助于将天线轻松集成到移动电话内部。 (2)低电压条件下的高电容变化比(RKV653KP和RKV653KL) 这些新产品可在大约3V的低电压条件下实现2.7(C1/C3情况下)的业界最高电容变化比,有助于实现低电压操作和可调式天线所需的宽频带能力。 (3)环境友好的无铅、无卤素规格(RKV653KP) RKV653KP采用电极位于封装的下侧的下侧电极结构。下侧电极引脚采用镀金工艺,封装体采用无卤素树脂,有效地减少了生产和处理等各个阶段对环境的不利影响。 RKV653KL也是一
变容二极管检测方法 1.正、负极的判别 有的变容二极管的一端涂有黑色标记,这一端即是负极,而另一端为正极。还有的变容二极管的管壳两端分别涂有黄色环和红色环,红色环的一端为正极,黄色环的一端为负极。 也可以用数字万用表的二极管档,通过测量变容二极管的正、反向电压降来判断出其正、负极性。正常的变容二极管,在测量其正向电压降时,表的读数为 0.58~0.65V;测量其反向电压降时,表的读数显示为溢出符号“1”。在测量正向电压降时,红表笔接的是变容二极管的正极,黑表笔接的是变容二极管的负极。 2.性能好坏的判断 用指针式万用表的R×10k档测量变容二极管的正、反向电阻值。正常的变容二极管,其正、反向电阻值均为∞(无穷大)。若被测变容二极管的正、反向电阻值均有一定阻值或均为0,则是该二极管漏电或击穿损坏。 function ImgZoom(Id)//重新设置图片大小 防止撑破表格 { var w = $(Id).width; var m = 550; if(w < m) { return; } else { var h = $(Id).height; $(Id).height = parseInt(h*m/w); $(Id).width = m; } } window.onload = function() { var Imgs = $("content").getElementsByTagName("img"); var i=0; for(;i
变容二极管是电子可变电容。换句话说,变容二极管表现出来的电容是反偏电势的函数。这种现象导致了变容二极管在一些需要考虑电容因素的场合的几种常见应用。图1为一个典型的变容二极管调谐的lc振荡电路。电路耦合电感l2,的作用是当振荡电路被当作射频放大器使用时,将射频信号输人到振荡电路。主要的lc振荡电路包括主电感l1,和电容c1与cr1的串联电容。除此之外,还要考虑广泛存在于电子线路的杂散电容cs。隔直电容和串联电阻的功能前面已经介绍过了。电容c2的作用是对调谐电压vin,进行滤波。 图 变容二极管的调谐电路 因为lc调谐的振荡电路的谐振频率是lc的函数,我们发现振荡电路的最大与最小谐振频率之比随着电容比的平方根变化。此处电容比是指反偏电压最小时的电容与反偏电压最大时的电容之比。因而,电路的调谐特征曲线(偏压一谐振频率)基本上是一条抛物线。
              东芝公司(Toshiba)针对手机等便携设备推出JDP2S08SC PIN二极管和JDV2S22SC变容二极管。它们采用业界最小的SC2封装,与东芝目前尺寸为1.0×0.6×0.48mm的最小封装fSC相比,新型封装将面积减小约33%,厚度约减小62%。 JDP2S08SC PIN二极管和JDV2S22SC变容二极管采用引脚位于下面的封装方式,并且是无铅封装,适用于0.62mm×0.32mm×0.30mm(标准)的高密度封装。同时,它们还保持了传统fSC封装产品的高频特性。 其中,JDP2S08SC PIN二极管在1V、1MHz时的典型电容总量为0.25pF;10mA、100MHz下的串联电阻典型值为1.0Ω。而JDV2S22SC变容二极管在1V、1MHz时的典型电容总量为3.38pF;1V/3V时的容量比典型值为1.85Ω。 (转自国际电子商情)              
新闻资讯
变容二极管,也称为电容二极管(Varactor Diode),是一种特殊的二极管,具有可变电容的特性。它的工作原理基于PN结的反向偏置,通过改变反向电压来改变电容值。变容二极管广泛应用于射频电路、CY7C63310-SXC振荡器、滤波器等领域,其作用和特点如下:1. 工作原理: 变容二极管的工作原理基于PN结的反向偏置。当变容二极管处于反向偏置时,正向电流(注入电流)几乎为零,而在反向电压下,形成了一个反向偏置电场。当反向电压增大时,反向偏置电场的强度增加,导致PN结的耗尽区(depletion region)变宽,电容值减小。反之,当反向电压减小时,耗尽区变窄,电容值增大。通过改变反向电压,就可以实现对变容二极管电容值的调节。2. 作用: - 频率调谐:变容二极管可通过改变电容值实现对射频电路中的频率的调节。例如,在收音机中,变容二极管可用于调谐电台频率,通过调节反向电压,改变变容二极管的电容值,从而调整电路的共振频率,使之与所需的电台频率匹配。 - 振荡器:变容二极管可用于控制振荡器的频率。通过与电感器或谐振电路结合使用,变容二极管可以实现对振荡频率的调节。通过改变反向电压,可以改变变容二极管的电容值,进而改变振荡电路的频率。 - 滤波器:变容二极管可以用作可调滤波器的关键元件。通过改变反向电压,可以改变变容二极管的电容值,从而改变滤波器的截止频率。这样可以实现对特定频率的信号的滤波或选择放行。3. 特点: - 可调性:变容二极管的最大特点是电容值可调,通过改变反向电压可以实现对电容值的连续调节。这种可调性使得变容二极管在射频电路中非常有用,可以满足不同
变容二极管,也称为可变电容二极管或电容二极管,是一种能够通过改变电压或电流来改变其电容值的二极管。它通常由两个电极和一个可变介质组成。变容二极管的工作原理涉及到其结构和材料的特性。变容二极管LM258ADR的结构通常由两个电极和一个可变介质组成。其中一个电极是一个金属板,称为固定板,另一个电极是一个可移动的金属板,称为活动板。两个电极之间的空间被填充了一个可变介质,通常是一种高介电常数的材料,如氧化铝或氮化铝。当变容二极管处于正常工作区时,活动板与固定板之间的距离是固定的,电容值保持不变。当外加电压或电流改变时,活动板会受到电场力的影响,从而改变其位置和与固定板之间的距离。这将导致电容值的变化。变容二极管的工作原理可以通过以下步骤来解释:1、无偏置状态:在无外加电压或电流的情况下,变容二极管处于无偏置状态。此时,活动板位于固定板的中间位置,电容值处于中间值。2、偏置状态:当外加电压或电流施加到变容二极管上时,会在电容器中形成一个电场。这个电场会对活动板施加一个力,使得它移动到一个新的位置。活动板的移动将改变电容器的有效电容值。3、电容值变化:当活动板移动到新的位置时,活动板与固定板之间的距离改变。由于电容值与电极之间的距离成反比,因此电容值将随之改变。当活动板靠近固定板时,电容值增大;当活动板远离固定板时,电容值减小。4、范围:变容二极管的电容值变化范围取决于电场强度和活动板与固定板之间的距离。通常,变容二极管的电容值可以在几个皮法德(pF)到几百皮法德之间变化。变容二极管的工作原理基于电场力对活动板的作用。通过改变电压或电流,可以改变电场力的大小和方向,从而控制活动板的位置和
变容二极管是根据普通二极管内部 “PN结” 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上,实现低频信号调制到高频信号上,并发射出去。在工作状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的变化而变化。变容二极管发生故障,主要表现为漏电或性能变差: (1)发生漏电现象时,高频调制电路将不工作或调制性能变差。 (2)变容性能变差时,高频调制电路的工作不稳定,使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。 出现上述情况之一时,就应该更换同型号的变容二极管。
日前,瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布,推出两款用于具有数字地面广播能力的便携式和移动终端的可调式天线变容二极管(varicap diode)*1:RKV653KP具有0.6mm×0.3mm的业界最小尺寸,而RKV653KL则采用了扩展的封装形式。样品供货将在2006年8月3日从日本开始。 可调式天线是一种可以改变共振频率以有效接收各种频带的天线。这将有助于利用小型封装和可调式天线处理用于便携式和移动终端(One-Seg广播*2)的数字地面广播频率,从而推动天线与具有One-Seg广播能力的移动电话的集成。瑞萨科技开发的RKV653KP和RKV653KL可满足改变天线共振频率对嵌入式变容二极管严格的规格要求。这两种产品可以用于One-Seg广播和其他数字广播服务,例如数字视频广播手持设备类(DVB-H*3)和数字多媒体广播(DMB*4)的可调式天线。两种器件的特性如下。 (1)业界最小的尺寸(RKV653KP) RKV653KP的尺寸为0.6mm×0.3mm×0.3mm(典型值),是业界最小尺寸的可调式天线变容二极管。这有助于将天线轻松集成到移动电话内部。 (2)低电压条件下的高电容变化比(RKV653KP和RKV653KL) 这些新产品可在大约3V的低电压条件下实现2.7(C1/C3情况下)*5的业界最高电容变化比,有助于实现低电压操作和可调式天线所需的宽频带能力。 (3)环境友好的无铅、无卤素规格(RKV653KP) RKV653KP采用电极位于封装的下侧的下侧电极结构。下侧电极引脚采用镀金工艺,封装体采用无卤素树
瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)日前宣布,推出两款用于具有数字地面广播能力的便携式和移动终端的可调式天线变容二极管(varicap diode):RKV653KP具有0.6mm×0.3mm的业界最小尺寸,而RKV653KL则采用了扩展的封装形式。样品供货将在2006年8月3日从日本开始。 可调式天线是一种可以改变共振频率以有效接收各种频带的天线。这将有助于利用小型封装和可调式天线处理用于便携式和移动终端(One-Seg广播)的数字地面广播频率,从而推动天线与具有One-Seg广播能力的移动电话的集成。瑞萨科技开发的RKV653KP和RKV653KL可满足改变天线共振频率对嵌入式变容二极管严格的规格要求。这两种产品可以用于One-Seg广播和其他数字广播服务,例如数字视频广播手持设备类(DVB-H)和数字多媒体广播(DMB)的可调式天线。两种器件的特性如下。 (1)业界最小的尺寸(RKV653KP) RKV653KP的尺寸为0.6mm×0.3mm×0.3mm(典型值),是业界最小尺寸的可调式天线变容二极管。这有助于将天线轻松集成到移动电话内部。 (2)低电压条件下的高电容变化比(RKV653KP和RKV653KL) 这些新产品可在大约3V的低电压条件下实现2.7(C1/C3情况下)的业界最高电容变化比,有助于实现低电压操作和可调式天线所需的宽频带能力。 (3)环境友好的无铅、无卤素规格(RKV653KP) RKV653KP采用电极位于封装的下侧的下侧电极结构。下侧电极引脚采用镀金工艺,封装体采用无卤素树脂,
瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)日前宣布,推出两款用于具有数字地面广播能力的便携式和移动终端的可调式天线变容二极管(varicap diode):RKV653KP具有0.6mm×0.3mm的业界最小尺寸,而RKV653KL则采用了扩展的封装形式。样品供货将在2006年8月3日从日本开始。 可调式天线是一种可以改变共振频率以有效接收各种频带的天线。这将有助于利用小型封装和可调式天线处理用于便携式和移动终端(One-Seg广播)的数字地面广播频率,从而推动天线与具有One-Seg广播能力的移动电话的集成。瑞萨科技开发的RKV653KP和RKV653KL可满足改变天线共振频率对嵌入式变容二极管严格的规格要求。这两种产品可以用于One-Seg广播和其他数字广播服务,例如数字视频广播手持设备类(DVB-H)和数字多媒体广播(DMB)的可调式天线。两种器件的特性如下。 (1)业界最小的尺寸(RKV653KP) RKV653KP的尺寸为0.6mm×0.3mm×0.3mm(典型值),是业界最小尺寸的可调式天线变容二极管。这有助于将天线轻松集成到移动电话内部。 (2)低电压条件下的高电容变化比(RKV653KP和RKV653KL) 这些新产品可在大约3V的低电压条件下实现2.7(C1/C3情况下)的业界最高电容变化比,有助于实现低电压操作和可调式天线所需的宽频带能力。 (3)环境友好的无铅、无卤素规格(RKV653KP) RKV653KP采用电极位于封装的下侧的下侧电极结构。下侧电极引脚采用镀金工艺,封装体采用无卤素树脂,有效
实现调频的方法很多,大致可分为两类,一类是直接调频,另一类是间接调频。直接调频是用调制信号电压直接去控制自激振荡器的振荡频率(实质上是改变振荡器的定频元件),变容二极管调频便属于此类。间接调频则是利用频率和相位之间的关系,将调制信号进行适当处理(如积分)后,再对高频振荡进行调相,以达到调频的目的。两种调频法各有优缺点。直接调频的稳定性较差,但得到的频偏大,线路简单,故应用较广;间接调频稳定性较高,但不易获得较大的频偏。常用的变容二极管直接调频电路如图Z0916(a)所示。图中D为变容二极管,C2、L1、和C3组成低通滤滤器,以保证调制信号顺利加到调频级上,同时也防止调制信号影响高频振荡回路,或高频信号反串入调制信号电路中。调制级本身由两组电源供电。 对高频振荡信号来说,L1可看作开路,电源EB的交流电位为零,R1与C3并联;如果将隔直电容C4近似看作短路,R2看作开路,则可得到图(b)所示的高频等效电路。不难看出,它是一个电感三点式振荡电路。变容二极管D的结电容Cj,充当了振荡回路中的电抗元件之一。所以振荡频率取决于电感L2和变容二极变容二极管的正极直流接地(L2对直流可视为短路),负极通过R1接+EB,使变容二极管获得一固定的反偏压,这一反偏压的大小与稳定,对调频信号的线性和中心频率的稳定性及精度,起着决定性作用。 对调制信号来说,L2可视为短路,调制信号通过隔直流电容C1和L1加到变容二极管D的负极,因此,当调制信号为正半周时,变容二极管的反偏电压增加,其结电容减小,使振荡频率变高;调制信号为负半周时,变容二极管的反偏压减小,其结电容增大,使振
瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前宣布推出两款用于具有数字地面广播能力的便携式和移动终端的可调式天线变容二极管(varicapdiode):RKV653KP尺寸大小为0.6mm×0.3mm,而RKV653KL则采用了扩展的封装形式。样品供货在2006年8月3日从日本开始。 可调式天线是一种可以改变共振频率以有效接收各种频带的天线。这将有助于利用小型封装和可调式天线处理用于便携式和移动终端(One-Seg广播)的数字地面广播频率,从而推动天线与具有One-Seg广播能力的移动电话的集成。瑞萨科技开发的RKV653KP和RKV653KL可满足改变天线共振频率对嵌入式变容二极管严格的规格要求。这两种产品可以用于One-Seg广播和其他数字广播服务,例如数字视频广播手持设备类(DVB-H)和数字多媒体广播(DMB)的可调式天线。两种器件的特性如下: *小尺寸(RKV653KP): RKV653KP的尺寸为0.6mm×0.3mm×0.3mm(典型值),是小尺寸的可调式天线变容二极管。这有助于将天线集成到移动电话内部。 *低电压条件下的高电容变化比(RKV653KP和RKV653KL): 这些新产品可在大约3V的低电压条件下实现2.7(C1/C3情况下)的高电容变化比,有助于实现低电压操作和可调式天线所需的宽频带能力。 *环境友好的无铅、无卤素规格(RKV653KP): RKV653KP采用电极位于封装的下侧的下侧电极结构。下侧电极引脚采用镀金工艺,封装体采用无卤素树脂,有效地减少了生产和处理等各个阶段对环境的不利影响。RKV653KL也是一种无铅产品。瑞
瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前宣布,推出两款用于具有数字地面广播能力的便携式和移动终端的可调式天线变容二极管(varicapdiode):RKV653KP具有0.6mm×0.3mm的业界最小尺寸,而RKV653KL则采用了扩展的封装形式。样品供货将在2006年8月3日从日本开始。 可调式天线是一种可以改变共振频率以有效接收各种频带的天线。这将有助于利用小型封装和可调式天线处理用于便携式和移动终端(One-Seg广播)的数字地面广播频率,从而推动天线与具有One-Seg广播能力的移动电话的集成。瑞萨科技开发的RKV653KP和RKV653KL可满足改变天线共振频率对嵌入式变容二极管严格的规格要求。这两种产品可以用于One-Seg广播和其他数字广播服务,例如数字视频广播手持设备类(DVB-H)和数字多媒体广播(DMB)的可调式天线。两种器件的特性如下。 (1)业界最小的尺寸(RKV653KP) RKV653KP的尺寸为0.6mm×0.3mm×0.3mm(典型值),是业界最小尺寸的可调式天线变容二极管。这有助于将天线轻松集成到移动电话内部。 (2)低电压条件下的高电容变化比(RKV653KP和RKV653KL) 这些新产品可在大约3V的低电压条件下实现2.7(C1/C3情况下)的业界最高电容变化比,有助于实现低电压操作和可调式天线所需的宽频带能力。 (3)环境友好的无铅、无卤素规格(RKV653KP) RKV653KP采用电极位于封装的下侧的下侧电极结构。下侧电极引脚采用镀金工艺,封装体采用无卤素树脂,有效地减少了生产和处理等各个阶段对环境的不
瑞萨科技公司(RenesasTechnologyCorp.)日前发布了用于手机的三款电视调谐器可变电容二极管——RKV650KP、RKV650KN和RKV650KL。其中RKV650KP的尺寸只有0.6×0.3mm,号称业界最小。新器件的样品将在2005年8月从日本开始供货。新款器件可用于接收陆地数字电视广播的手机等的数字电视调谐器,样品价格分别为15、13和12日圆(仅供参考)。 采用0.6×0.3×0.3mm(典型)封装的RKV650KP与瑞萨科技以前的模拟电视调谐器型号相比,其安装面积减少了大约70%,有助于用户的系统更加小型化。这三种新产品在大约2.5V的低电压范围条件下,实现了3.5的业界最高电容比(在C0.5和C2.5的情况下),能够用于接收陆地数字电视广播的手机电视调谐器。与此同时,折衷的高频串联电阻特性已被控制在0.5Ω(在VR=1V,f=470MHz条件下),有助于实现高灵敏度和低噪声。 通过采用底面电极结构,RKV650KP使用的MP6(微型封装6,瑞萨封装代码)封装,在这种结构中电极位于封装的底面。而RKV650KN采用0.8×0.5×0.3mm(典型)底面电极结构MP8(微型封装8,瑞萨封装代码)封装,RKV650KL采用引脚类型EFP(极小型扁平引线封装,瑞萨封装代码),尺寸为1.0×0.6×0.47mm(典型),不同的系统用户可以选择适合的类型。
瑞萨科技(Renesas)日前宣布推出两款用于具有数字地面广播能力的便携式和移动终端的可调式天线变容二极管(varicap diode),其中RKV653KP具有据称为业界最小0.6×0.3mm的尺寸,而RKV653KL则采用了扩展的封装形式。样品供货于2006年8月3日从日本开始。可调式天线是一种可以改变共振频率以有效接收各种频带的天线。这将有助于利用小型封装和可调式天线处理用于便携式和移动终端(One-Seg广播,日本用于便携式和移动终端的一种地面数字广播标准。6MHz频段被划分成为13个波段,它使用的是中间波段。该服务开始于2006年4月。)的数字地面广播频率,从而推动天线与具有One-Seg广播能力的移动电话的集成。瑞萨科技开发的RKV653KP和RKV653KL可满足改变天线共振频率对嵌入式变容二极管严格的规格要求。这两种产品可以用于One-Seg广播和其他数字广播服务,例如数字视频广播手持设备类(DVB-H*3)和数字多媒体广播(DMB*4)的可调式天线。这些新产品可在大约3V的低电压条件下实现2.7(C1/C3情况下)的业界最高电容变化比,有助于实现低电压操作和可调式天线所需的宽频带能力。RKV653KP的尺寸为0.6×0.3×0.3mm(典型值),据称是业界最小尺寸的可调式天线变容二极管。这有助于将天线轻松集成到移动电话内部。RKV653KP采用电极位于封装的下侧的下侧电极结构。下侧电极引脚采用镀金工艺,封装体采用无卤素树脂,有效地减少了生产和处理等各个阶段对环境的不利影响。RKV653KL也是一种无铅产品,采用了引脚型EFP(超小型扁平引脚封装,瑞萨封装代码
瑞萨科技近日发布用于手机的三款电视调谐器可变电容二极管——RKV650KP、RKV650KN和RKV650KL。其中RKV650KP的尺寸只有0.6×0.3mm,号称业界最小。新器件的样品将在2005年8月从日本开始供货。新款器件可用于接收陆地数字电视广播的手机等的数字电视调谐器,样品价格分别为15、13和12日圆(仅供参考)。 采用0.6×0.3×0.3mm(典型)封装的RKV650KP与瑞萨科技以前的模拟电视调谐器型号相比,其安装面积减少了大约70%,有助于用户的系统更加小型化。这三种新产品在大约2.5V的低电压范围条件下,实现了3.5的业界最高电容比(在C 0.5和C 2.5的情况下),能够用于接收陆地数字电视广播的手机电视调谐器。与此同时,折衷的高频串联电阻特性已被控制在0.5Ω(在VR=1V,f=470MHz条件下),有助于实现高灵敏度和低噪声。 通过采用底面电极结构,RKV650KP使用的MP6 (微型封装6,瑞萨封装代码)封装,在这种结构中电极位于封装的底面。而RKV650KN采用0.8×0.5×0.3mm(典型)底面电极结构MP8(微型封装8,瑞萨封装代码)封装,RKV650KL采用引脚类型EFP(极小型扁平引线封装,瑞萨封装代码),尺寸为1.0×0.6×0.47mm(典型),不同的系统用户可以选择适用的模型。
1、变容二极管的作用变容二极管是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件,在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。 图4-17是变容二极管的电路图形符号。 变容二极管属于反偏压二极管,改变其PN结上的反向偏压,即可改变PN结电容量。反向偏压越高,结电容则越少,反向偏压与结电容之间的关系是非线性的。 变容二极管有玻璃外壳封装(玻封)、塑料封装(塑封)、金属外壳封装(金封)和无引线表面封装等多种封装形式、如图4-18所示。通常,中小功率的变容二极管采用玻封、塑封或表面封装,而功率较大的变容二极管多采用金封。 2.常用的变容二极管常用的国产变容二极管有2CC系列和2CB系列,表4-23为其主要参数。 常用的进口变容二极管有S系列、MV系列、KV系列、1T系列、1SV系列等,表4-24为其主要参数。
会员资讯
品牌:SKYWORKS厂家型号:SMV1234-079LF封装规格:SC-79商品毛重:0.06克(g)包装方式:编带二极管配置:独立式 最大反向耐压(Vr):15V 二极管电容(CT):2pF@6V 电容比:3.4 电容比条件:C1V/C6V 串联电阻(Rs):800mΩ 工作温度(最小值):-55℃@(Ta) 工作温度(最大值):+125℃@(Ta)本公司专业为开关电源、逆变电源、变频电源、通信电源、车载电源、电焊机、变频器、马达控制器等提供全方位的服务,并在消防行业、仪器仪表、通信业、船舶工业、自动化控制等高科技市场有良好的商业信誉,且具有完善的管理体系和强大的配套能力。产品包含各种类IC芯片、集成电路,二极管、三极管、电阻、电容、电感、连接器、晶振、传感器、处理器及微控制器、光耦、红外、发光管、射频、滤波器、放大器、存储器、蜂鸣器、功能模块等。经营宗旨 :原装正品、保证质量、准时交货、价格及优热门型号LTC3256EMSE#PBFAnalog Devices Inc.16-MSOP-EPLT3095IUDD#PBFAnalog Devices Inc.24-QFN(3x5)LT3570EFE#PBFAnalog Devices Inc.20-TSSOP-EPMAX5093BATE+Maxim Integrated16-TQFN(5x5)TPS65262RHBRTexas Instruments32-VQFN(5x5)MAX8513EEI+Maxim Integrated-LT3500HDD#PBFAnalog Devices Inc.12-DFN(3x3)MAX509