MJ2955 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MJ2955
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内容描述：	硅PNP功率晶体管，卓越的安全工作区，有TO-3封装，适用于一般用途的开关和放大器应用 [Silicon PNP Power Transistors,Excellent safe operating area,with to-3 package,Designed for general-purpose switching and amplifier applications]
分类和应用：	晶体开关放大器晶体管
文件页数/大小：	3 页 / 118 K
品牌：	ETC [ ETC ]

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION

・With

TO-3 package

・Complement

to type MJ2955

・DC

current gain -h

= 20–70 @ I

= 4 Adc

・Excellent

safe operating area

APPLICATIONS

・Designed

for general–purpose

switching and amplifier applications.

PINNING

Base

Emitter

Collector

DESCRIPTION

MJ2955

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Absolute maximum ratings(Ta=

℃)

SYMBOL

CBO

CEO

EBO

stg

PARAMETER

导�½�

半

固电

ICO

SEM

HAN

INC

CONDITIONS

Collector-base voltage

Open emitter

Collector-emitter voltage

Open base

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

Base current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

=25℃

VALUE

-100

-60

-7

-15

-7

115

150

-65~200

UNIT

℃

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

th j-c

PARAMETER

Thermal resistance junction to case

VALUE

1.52

UNIT

℃/W

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