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  • IDT100484S5CI图
  • HECC GROUP CO.,LIMITED

     该会员已使用本站17年以上
  • IDT100484S5CI
  • 数量7000 
  • 厂家IDT 
  • 封装CDIP28 
  • 批号2021+ 
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IDT100484S5DF产品参数
型号:IDT100484S5DF
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92
Is Samacsys:N
最长访问时间:5 ns
I/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-XDIP-T28
JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4
负电源额定电压:-4.5 V
端子数量:28
字数:4096 words
字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:
组织:4KX4
输出特性:OPEN-EMITTER
封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.4
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225
电源:-4.5 V
认证状态:Not Qualified
子类别:SRAMs
表面贴装:NO
温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
Base Number Matches:1
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