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| 型号: | IDT54FCT821BDB |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.3 |
| 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.29 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | IOH = 0.3MA @ VOH = 4.3V; IOL = 0.3MA @ VOL = 0.2V |
| 系列： | FCT |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 32.004 mm |
| 负载电容（CL）： | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型： | BUS DRIVER |
| 最大频率@ Nom-Sup： | 83300000 Hz |
| 最大I（ol）： | 0.032 A |
| 位数： | 10 |
| 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 24 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 输出极性： | TRUE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 8.5 ns |
| 传播延迟（tpd）： | 16 ns |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B |
| 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 子类别： | FF/Latches |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 触发器类型： | POSITIVE EDGE |
| 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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