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  • IDT6116S150CB图
  • 北京首天国际有限公司

     该会员已使用本站15年以上
  • IDT6116S150CB
  • 数量8272 
  • 厂家√ 欧美㊣品 
  • 封装贴◆插 
  • 批号16+ 
  • 百分百原装正品,现货库存
  • QQ:528164397QQ:1318502189
  • 010-62565447 QQ:528164397QQ:1318502189
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IDT6116S150D产品参数
型号:IDT6116S150D
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88
最长访问时间:150 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDIP-T24
JESD-609代码:e0
内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
端子数量:24
字数:2048 words
字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:2KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.6
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0004 A
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.08 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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