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  • IDT7027S35GB图
  • 深圳市领航达电子有限公司

     该会员已使用本站1年以上
  • IDT7027S35GB
  • 数量1950 
  • 厂家IDT 
  • 封装PGA▇▇ 
  • 批号▇▇▇Rohs▇▇▇ 
  • 原装▇军工偏冷门▇质量好价格优▇让少走弯路▇》》》》
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IDT7027S35GB产品参数
型号:IDT7027S35GB
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码:PGA
包装说明:PGA, PGA108,12X12
针数:108
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.19
最长访问时间:35 ns
其他特性:INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-CPGA-P108
JESD-609代码:e0
长度:30.48 mm
内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:2
端子数量:108
字数:32768 words
字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C
组织:32KX16
输出特性:3-STATE
可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:PGA
封装等效代码:PGA108,12X12
封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-PRF-38535
座面最大高度:5.207 mm
最大待机电流:0.03 A
最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.335 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG
端子节距:2.54 mm
端子位置:PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:30.48 mm
Base Number Matches:1
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