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    IDT71586S-35J相关文章

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IDT71586S35J8产品参数
型号:IDT71586S35J8
是否无铅:含铅
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码:LCC
包装说明:PLASTIC, LCC-44
针数:44
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.65
Is Samacsys:N
最长访问时间:35 ns
JESD-30 代码:S-PQCC-J44
JESD-609代码:e0
长度:16.5862 mm
内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:44
字数:4096 words
字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:4KX16
输出特性:3-STATE
可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ
封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.57 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:16.5862 mm
Base Number Matches:1
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