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  • IDT7164L35DM图
  • 北京力通科信电子有限公司

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  • IDT7164L35DM
  • 数量5000 
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  • 封装 
  • 批号12+ 
  • 全新原装现货,假一罚百,详细资料请致电010-82626036或qq:2355365902
  • QQ:2355365902QQ:2355365899
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    IDT7164L35DM相关文章

配单直通车
IDT7164L35E产品参数
型号:IDT7164L35E
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:DFP
包装说明:CERPACK-28
针数:28
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.66
Is Samacsys:N
最长访问时间:35 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-GDFP-F28
JESD-609代码:e0
长度:18.288 mm
内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:28
字数:8192 words
字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:8KX8
输出特性:3-STATE
可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DFP
封装等效代码:FL28,.4
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.921 mm
最大待机电流:0.00006 A
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.13 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:12.446 mm
Base Number Matches:1
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