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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 数量1001 
  • 厂家IDT 
  • 封装TSOP-44 
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  • 集好芯城

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  • 数量1068 
  • 厂家Renesas Electronics America Inc. 
  • 封装 
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  • 深圳市斌腾达科技有限公司

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  • 数量5688 
  • 厂家IDT, Integrated Device Technology Inc 
  • 封装44-TSOP II 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 数量660000 
  • 厂家Renesas Electronics America Inc. 
  • 封装原厂原装 
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
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  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • 数量24500 
  • 厂家Renesas Electronics America Inc. 
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IDT71V416S12Y产品参数
型号:IDT71V416S12Y
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码:SOJ
包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
针数:44
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.52
最长访问时间:12 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J44
JESD-609代码:e0
长度:28.575 mm
内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端口数量:1
端子数量:44
字数:262144 words
字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:256KX16
输出特性:3-STATE
可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ44,.44
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.683 mm
最大待机电流:0.02 A
最小待机电流:3 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.18 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:10.16 mm
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