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型号: | IDT71V632S5PFGI8 |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active |
零件包装代码: | QFP |
包装说明: | LQFP, QFP100,.63X.87 |
针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.35 |
最长访问时间: | 5 ns |
其他特性: | ALSO REQUIRES 3.3V I/O SUPPLY |
最大时钟频率 (fCLK): | 100 MHz |
I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e3 |
长度: | 20 mm |
内存密度: | 2097152 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 32 |
湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 |
端子数量: | 100 |
字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64KX32 |
输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP |
封装等效代码: | QFP100,.63X.87 |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm |
最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 3.14 V |
子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.2 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.63 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES |
技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
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