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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市欧昇科技有限公司

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  • 港瑞电子是实报/实单可以来谈价
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 八零友创集团

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  • 上海振基实业有限公司

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  • 北京首天国际有限公司

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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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IDT71V67603S133PF产品参数
型号:IDT71V67603S133PF
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
零件包装代码:QFP
包装说明:14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
针数:100
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.52
Is Samacsys:N
最长访问时间:4.2 ns
其他特性:PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e0
长度:20 mm
内存密度:9437184 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM
内存宽度:36
湿度敏感等级:3
功能数量:1
端子数量:100
字数:262144 words
字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:256KX36
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP
封装等效代码:QFP100,.63X.87
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.6 mm
最大待机电流:0.05 A
最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.26 mA
最大供电电压 (Vsup):3.465 V
最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:14 mm
Base Number Matches:1
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