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| 型号: | IDT7200L80J8 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 零件包装代码： | QFJ |
| 包装说明： | QCCJ, |
| 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.49 |
| Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 80 ns |
| 其他特性： | RETRANSMIT |
| 周期时间： | 100 ns |
| JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 2304 bit |
| 内存宽度： | 9 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 |
| 字数： | 256 words |
| 字数代码： | 256 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 256X9 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | J BEND |
| 端子位置： | QUAD |
| Base Number Matches： | 1 |
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