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| 型号: | IDT7252L35C |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 |
| 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.88 |
| 最长访问时间： | 35 ns |
| 其他特性： | PARITY GENERATOR/CHECKER; BYPASS XCVR; PORTA/PORTB:1024 X 18/2048 X 9 |
| 周期时间： | 45 ns |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T48 |
| JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 18432 bit |
| 内存集成电路类型： | BI-DIRECTIONAL FIFO |
| 内存宽度： | 9 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 48 |
| 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 2KX9 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP48,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.002 A |
| 子类别： | FIFOs |
| 最大压摆率： | 0.16 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | MOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
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