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| 型号: | IDT7MP6104S33M |
| 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 24 ns |
| 其他特性： | BURST COUNTER; SELF TIMED WRITE CYCLE |
| I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XSMA-N128 |
| 内存密度： | 1179648 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 9 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 128 |
| 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX9 |
| 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM128 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 最小待机电流： | 4.75 V |
| 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 1.35 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
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