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  • IL855图
  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • IL855
  • 数量26980 
  • 厂家VISHAY 
  • 封装DIPSOP 
  • 批号全新环保批次 
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IL8M-67005L-55产品参数
型号:IL8M-67005L-55
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:TEMIC SEMICONDUCTORS
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92
最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-XPGA-P68
JESD-609代码:e0
内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM
内存宽度:8
端口数量:2
端子数量:68
字数:8192 words
字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:8KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC
封装代码:PGA
封装等效代码:PGA68,11X11
封装形状:SQUARE
封装形式:GRID ARRAY
并行/串行:PARALLEL
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0002 A
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.17 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:PIN/PEG
端子节距:2.54 mm
端子位置:PERPENDICULAR
Base Number Matches:1
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