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INA111AP产品参数
型号:INA111AP
Brand Name:Texas Instruments
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:TEXAS INSTRUMENTS INC
零件包装代码:DIP
包装说明:DIP-8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01
Factory Lead Time:1 week
风险等级:1.14
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/181340.1.4.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=181340
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=181340
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=181340
Samacsys PartID:181340
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/INA111AP.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/INA111AP.jpg
Samacsys Pin Count:8
Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:Dual-In-Line Packages
Samacsys Footprint Name:P (R-PDIP-T8)
Samacsys Released Date:2015-06-24 00:00:00
Is Samacsys:N
放大器类型:INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB):0.00002 µA
标称带宽 (3dB):2 MHz
最小共模抑制比:75 dB
最大输入失调电流 (IIO):0.00001 µA
最大输入失调电压:6000 µV
JESD-30 代码:R-PDIP-T8
JESD-609代码:e4
长度:9.81 mm
负供电电压上限:-18 V
标称负供电电压 (Vsup):-15 V
最大非线性:0.04%
功能数量:1
端子数量:8
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
包装方法:TUBE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:+-15 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm
标称压摆率:17 V/us
子类别:Instrumentation Amplifier
最大压摆率:4.5 mA
供电电压上限:18 V
标称供电电压 (Vsup):15 V
表面贴装:NO
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压增益:10000
最小电压增益:1
标称电压增益:10
宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1
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