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INA122P产品参数
型号:INA122P
Brand Name:Texas Instruments
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:DIP
包装说明:DIP-8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01
风险等级:1.51
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/414321.4.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=414321
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=414321
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=414321
Samacsys PartID:414321
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/INA122P.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/4/INA122P.jpg
Samacsys Pin Count:8
Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:Dual-In-Line Packages
Samacsys Footprint Name:p(r-pdip-t8)
Samacsys Released Date:2017-01-12 12:59:53
Is Samacsys:N
放大器类型:INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB):0.025 µA
标称带宽 (3dB):0.12 MHz
最小共模抑制比:83 dB
最大输入失调电流 (IIO):0.002 µA
最大输入失调电压:250 µV
JESD-30 代码:R-PDIP-T8
JESD-609代码:e4
长度:9.81 mm
负供电电压上限:-18 V
最大非线性:0.012%
功能数量:1
端子数量:8
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
包装方法:TUBE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:2.2/36/+-18 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm
标称压摆率:0.08 V/us
子类别:Instrumentation Amplifier
最大压摆率:0.085 mA
供电电压上限:18 V
标称供电电压 (Vsup):15 V
表面贴装:NO
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压增益:10000
最小电压增益:5
标称电压增益:100
宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1
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