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INA129SKGD1产品参数
型号:INA129SKGD1
Brand Name:Texas Instruments
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:DIE
包装说明:DIE
针数:12
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01
风险等级:5.76
Is Samacsys:N
放大器类型:INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB):0.05 µA
标称带宽 (3dB):1.3 MHz
最小共模抑制比:113 dB
最大输入失调电流 (IIO):0.01 µA
最大输入失调电压:125 µV
JESD-30 代码:R-XUUC-N12
负供电电压上限:-18 V
标称负供电电压 (Vsup):-15 V
最大非线性:0.7%
功能数量:1
端子数量:12
最高工作温度:210 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIE
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
标称压摆率:4 V/us
子类别:Instrumentation Amplifier
供电电压上限:18 V
标称供电电压 (Vsup):15 V
表面贴装:YES
温度等级:MILITARY
端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压增益:10000
最小电压增益:1
标称电压增益:10
Base Number Matches:1
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