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| 型号: | INA217AIDWTE4 |
| Brand Name： | Texas Instruments |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | TEXAS INSTRUMENTS INC |
| 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOIC-16 |
| 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 |
| 风险等级： | 5.76 |
| Samacsys Confidence： | 4 |
| Samacsys Status： | Released |
| 2D Presentation： | https://componentsearchengine.com/2D/0T/1128790.1.1.png |
| Schematic Symbol： | https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1128790 |
| PCB Footprint： | https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=1128790 |
| 3D View： | https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=1128790 |
| Samacsys PartID： | 1128790 |
| Samacsys Image： | https://componentsearchengine.com/Images/9/INA217AIDWTE4.jpg |
| Samacsys Thumbnail Image： | https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/INA217AIDWTE4.jpg |
| Samacsys Pin Count： | 16 |
| Samacsys Part Category： | Integrated Circuit |
| Samacsys Package Category： | Small Outline Packages |
| Samacsys Footprint Name： | DW0016A |
| Samacsys Released Date： | 2018-06-27 06:29:44 |
| Is Samacsys： | N |
| 放大器类型： | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 12 µA |
| 标称带宽 (3dB)： | 3.4 MHz |
| 最小共模抑制比： | 70 dB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G16 |
| JESD-609代码： | e4 |
| 长度： | 10.3 mm |
| 湿度敏感等级： | 3 |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP16,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | +-15 V |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 2.65 mm |
| 子类别： | Instrumentation Amplifier |
| 最大压摆率： | 12 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 表面贴装： | YES |
| 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压增益： | 10000 |
| 最小电压增益： | 1 |
| 标称电压增益： | 10 |
| 宽度： | 7.5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
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