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  • INA52063-TR1G图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • INA52063-TR1G
  • 数量78800 
  • 厂家AVAGO-安华高 
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  • 深圳市创芯联科技有限公司

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  • INA52063-TR1G
  • 数量15000 
  • 厂家AVAGO 
  • 封装SOT363 
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INA818IDR产品参数
型号:INA818IDR
Brand Name:Texas Instruments
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:TEXAS INSTRUMENTS INC
包装说明:SOP,
Reach Compliance Code:compliant
Factory Lead Time:6 weeks
风险等级:1.8
Samacsys Description:35-μV offset, 8-nV/√Hz noise, low-power, precision instrumentation amplifier
放大器类型:INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB):0.0005 µA
标称带宽 (3dB):2 MHz
最小共模抑制比:110 dB
最大输入失调电流 (IIO):0.002 µA
最大输入失调电压:75 µV
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e4
长度:4.905 mm
湿度敏感等级:2
负供电电压上限:-20 V
标称负供电电压 (Vsup):-15 V
最大非线性:0.0015%
功能数量:1
端子数量:8
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
座面最大高度:1.75 mm
标称压摆率:0.9 V/us
子类别:Instrumentation Amplifier
供电电压上限:20 V
标称供电电压 (Vsup):15 V
表面贴装:YES
温度等级:AUTOMOTIVE
端子面层:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
最大电压增益:10000
最小电压增益:1
宽度:3.895 mm
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