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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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IPB17N25S3100ATMA1产品参数和技术文档

IPB16CNE8NG产品图

IPB17N25S3100ATMA1产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1,000
0.86009
$860.09

IPB17N25S3100ATMA1产品参数

品牌:Infineon Technologies

描述:MOSFET N-CH TO263-3

详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 17A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2

制造商:Infineon Technologies

系列:汽车级,AEC-Q101,OptiMOS™

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):250V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):100 毫欧 @ 17A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 54µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):19nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1500pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):107W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:PG-TO263-3-2

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

标准包装:1,000

其它名称:SP000876560

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