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IPB180N10S4-02产品参数
型号:IPB180N10S4-02
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:1.65
雪崩能效等级(Eas):1110 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):180 A
最大漏源导通电阻:0.0025 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263
JESD-30 代码:R-PSSO-G6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):720 A
参考标准:AEC-Q101
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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