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IPG20N10S4L-22A产品参数
型号:IPG20N10S4L-22A
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:1.73
雪崩能效等级(Eas):130 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):20 A
最大漏源导通电阻:0.022 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F6
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A
参考标准:AEC-Q101
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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